C2M0160120D
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| Teilenummer | C2M0160120D |
| PNEDA Teilenummer | C2M0160120D |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247 |
| Hersteller | Cree/Wolfspeed |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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C2M0160120D Ressourcen
| Marke | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | C2M0160120D |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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C2M0160120D Technische Daten
| Hersteller | Cree/Wolfspeed |
| Serie | Z-FET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 19A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 196mOhm @ 10A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32.6nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 527pF @ 800V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 300W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH) Paket / Fall TO-247-3 |
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