C2M0025120D
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| Teilenummer | C2M0025120D |
| PNEDA Teilenummer | C2M0025120D |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247 |
| Hersteller | Cree/Wolfspeed |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 14.382 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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C2M0025120D Ressourcen
| Marke | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | C2M0025120D |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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C2M0025120D Technische Daten
| Hersteller | Cree/Wolfspeed |
| Serie | Z-FET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 90A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 50A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 161nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2788pF @ 1000V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 463W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 33A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 45W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Full-Pak Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
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