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BZT55C30 L1G

BZT55C30 L1G

Nur als Referenz

Teilenummer BZT55C30 L1G
PNEDA Teilenummer BZT55C30-L1G
Beschreibung DIODE ZENER 30V 500MW MINI MELF
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 7.110
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BZT55C30 L1G Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBZT55C30 L1G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterZenerdioden - Single

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BZT55C30 L1G Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Spannung - Zener (Nom) (Vz)30V
Toleranz±5%
Leistung - max500mW
Impedanz (Max) (Zzt)80 Ohms
Strom - Umkehrleckage @ Vr100nA @ 22V
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 10mA
Betriebstemperatur-65°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
LieferantengerätepaketMini MELF

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Toleranz

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Leistung - max

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Impedanz (Max) (Zzt)

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Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 14V

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

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Serie

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Spannung - Zener (Nom) (Vz)

12V

Toleranz

±2%

Leistung - max

100mW

Impedanz (Max) (Zzt)

30 Ohms

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 9V

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

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Spannung - Zener (Nom) (Vz)

3.88V

Toleranz

-

Leistung - max

500mW

Impedanz (Max) (Zzt)

50 Ohms

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3µA @ 1V

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 200mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Surface Mount

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Toleranz

±10%

Leistung - max

250mW

Impedanz (Max) (Zzt)

84 Ohms

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

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Lieferantengerätepaket

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Serie

-

Spannung - Zener (Nom) (Vz)

2.7V

Toleranz

±5%

Leistung - max

500mW

Impedanz (Max) (Zzt)

30 Ohms

Strom - Umkehrleckage @ Vr

75µA @ 1V

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 200mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

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