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BZT52B3V0-G RHG

BZT52B3V0-G RHG

Nur als Referenz

Teilenummer BZT52B3V0-G RHG
PNEDA Teilenummer BZT52B3V0-G-RHG
Beschreibung DIODE ZENER 3V 410MW SOD123
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 3.258
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 11 - Jan 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BZT52B3V0-G RHG Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBZT52B3V0-G RHG
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterZenerdioden - Single

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BZT52B3V0-G RHG Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Spannung - Zener (Nom) (Vz)3V
Toleranz±2%
Leistung - max410mW
Impedanz (Max) (Zzt)95 Ohms
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 1V
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If900mV @ 10mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOD-123
LieferantengerätepaketSOD-123

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Spannung - Zener (Nom) (Vz)

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Toleranz

±5%

Leistung - max

1.5W

Impedanz (Max) (Zzt)

70 Ohms

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 38.8V

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Spannung - Zener (Nom) (Vz)

200V

Toleranz

-

Leistung - max

800mW

Impedanz (Max) (Zzt)

500 Ohms

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 150V

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 200mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

DO-219AB (SMF)

1N4757A TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Spannung - Zener (Nom) (Vz)

51V

Toleranz

±5%

Leistung - max

1W

Impedanz (Max) (Zzt)

95 Ohms

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 38.8V

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 200mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DO-41

PDZ6.8B,115

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Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Spannung - Zener (Nom) (Vz)

6.8V

Toleranz

±2%

Leistung - max

400mW

Impedanz (Max) (Zzt)

40 Ohms

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 3.5V

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Spannung - Zener (Nom) (Vz)

62V

Toleranz

±6.45%

Leistung - max

800mW

Impedanz (Max) (Zzt)

80 Ohms

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 47V

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 200mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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