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BYWB29-150HE3/81

BYWB29-150HE3/81

Nur als Referenz

Teilenummer BYWB29-150HE3/81
PNEDA Teilenummer BYWB29-150HE3-81
Beschreibung DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 4.968
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BYWB29-150HE3/81 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBYWB29-150HE3/81
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
BYWB29-150HE3/81, BYWB29-150HE3/81 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 139,76 KB)
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BYWB29-150HE3/81 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)150V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.3V @ 20A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 150V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.85V @ 4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

Axial

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

RU 3CV

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2V @ 1.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

400ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

JANTX1N5623

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/429

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 12V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

A, Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

RFN1LAM6STR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

800mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.45V @ 800mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-128

Lieferantengerätepaket

PMDTM

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

RRE04EA4DTR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

400mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 200mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

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