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BYW86-TR

BYW86-TR

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Teilenummer BYW86-TR
PNEDA Teilenummer BYW86-TR
Beschreibung DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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BYW86-TR Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBYW86-TR
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
BYW86-TR, BYW86-TR Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 125,32 KB)
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BYW86-TR Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypAvalanche
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1000V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 3A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)7.5µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr1µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F.60pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallSOD-64, Axial
LieferantengerätepaketSOD-64
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

140mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

580mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

1.5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 25V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

DSA2-16A

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1600V

Current - Average Rectified (Io)

3.6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 7A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2mA @ 1600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

Axial

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 180°C

JANTX1N645-1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/240

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

225V

Current - Average Rectified (Io)

400mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 400mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50nA @ 225V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

STPS340SY

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

630mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

SMC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

MURD550PFT4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

520V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 520V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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