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BYV415W-600PQ

BYV415W-600PQ

Nur als Referenz

Teilenummer BYV415W-600PQ
PNEDA Teilenummer BYV415W-600PQ
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 15A TO247
Hersteller WeEn Semiconductors
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Auf Lager 3.798
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BYV415W-600PQ Ressourcen

Marke WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBYV415W-600PQ
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
BYV415W-600PQ, BYV415W-600PQ Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 178,35 KB)
PDFBYV415W-600PQ Datenblatt Cover
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BYV415W-600PQ Technische Daten

HerstellerWeEn Semiconductors
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)15A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If2.1V @ 15A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)45ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 600V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 25V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

MD18110A-BM2MM

Littelfuse

Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1800V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

110A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 350A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 1800V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

A-3 Module

Lieferantengerätepaket

A3

RBR10NS30AFHTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

LPDS

MBRB2060CTG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK-3

DD700N22KHPSA3

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

700A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.36V @ 2200A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40mA @ 2200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

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