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BYV29FX-600,127

BYV29FX-600,127

Nur als Referenz

Teilenummer BYV29FX-600,127
PNEDA Teilenummer BYV29FX-600-127
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 9A TO220F
Hersteller WeEn Semiconductors
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Auf Lager 15.462
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 10 - Nov 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BYV29FX-600 Ressourcen

Marke WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBYV29FX-600,127
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
BYV29FX-600, BYV29FX-600 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 364,22 KB)
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BYV29FX-600 Technische Daten

HerstellerWeEn Semiconductors
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)9A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.9V @ 8A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr50µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
LieferantengerätepaketTO-220FP
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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1N6763R

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

R7200409XXOO

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

900A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 1500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

10µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AB, B-PUK

Lieferantengerätepaket

DO-200AB, B-PUK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

UGB8JTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

RGP02-14E-M3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1400V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 100mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

300ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1400V

Kapazität @ Vr, F.

5pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

CDBF40

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 40mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200nA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

1005 (2512 Metric)

Lieferantengerätepaket

1005/SOD-323F

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

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