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BYT79-500,127

BYT79-500,127

Nur als Referenz

Teilenummer BYT79-500,127
PNEDA Teilenummer BYT79-500-127
Beschreibung DIODE GEN PURP 500V 14A TO220AC
Hersteller WeEn Semiconductors
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Auf Lager 14.346
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BYT79-500 Ressourcen

Marke WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBYT79-500,127
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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BYT79-500 Technische Daten

HerstellerWeEn Semiconductors
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)500V
Current - Average Rectified (Io)14A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.38V @ 30A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)60ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr50µA @ 500V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-2
LieferantengerätepaketTO-220AC
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

3µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

450A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 1500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

11µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-200AA, A-PUK

Lieferantengerätepaket

DO-200AA, R62

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

ES1FL RQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

V8P20-M3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

2.2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

V8PA6HM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

630mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

600µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

1030pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DO-221BC (SMPA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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