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BYR16W-1200Q

BYR16W-1200Q

Nur als Referenz

Teilenummer BYR16W-1200Q
PNEDA Teilenummer BYR16W-1200Q
Beschreibung DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO247-2
Hersteller WeEn Semiconductors
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Auf Lager 3.582
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BYR16W-1200Q Ressourcen

Marke WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBYR16W-1200Q
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
BYR16W-1200Q, BYR16W-1200Q Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 573,96 KB)
PDFBYR16W-1200Q Datenblatt Cover
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BYR16W-1200Q Technische Daten

HerstellerWeEn Semiconductors
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Current - Average Rectified (Io)16A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If2.7V @ 16A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)105ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-2
LieferantengerätepaketTO-247-2
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle175°C (Max)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.6V @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220-2L

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

STPSC406B-TR

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 4A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

200pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

R7221005ESOO

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

500A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.25V @ 1500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

3µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AB, B-PUK

Lieferantengerätepaket

DO-200AB, B-PUK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

SS22LHRVG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

400µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

66SPB200A

SMC Diode Solutions

Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1.1mA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

900pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SPD-2A

Lieferantengerätepaket

SPD-2A

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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