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BYG22DHE3_A/I

BYG22DHE3_A/I

Nur als Referenz

Teilenummer BYG22DHE3_A/I
PNEDA Teilenummer BYG22DHE3_A-I
Beschreibung DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 5.688
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BYG22DHE3_A/I Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBYG22DHE3_A/I
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
BYG22DHE3_A/I, BYG22DHE3_A/I Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 92,21 KB)
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BYG22DHE3_A/I Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypAvalanche
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Current - Average Rectified (Io)2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 2A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr1µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AC, SMA
LieferantengerätepaketDO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

975mV @ 16A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

175pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 10A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

79pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

FRED Pt®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-2

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

JANTX1N5554US

Semtech

Hersteller

Semtech Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

VS-15ETX06-1PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3.2V @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

18ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

TO-262AA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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