BYG21MHR3G
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| Teilenummer | BYG21MHR3G |
| PNEDA Teilenummer | BYG21MHR3G |
| Beschreibung | DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 17.478 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 21 - Jun 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BYG21MHR3G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BYG21MHR3G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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BYG21MHR3G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Avalanche |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 1.5A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 120ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1µA @ 1000V |
| Kapazität @ Vr, F. | 13pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AC, SMA |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AC (SMA) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 12A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 12A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-4 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 200°C |
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