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BYG10D-M3/TR3

BYG10D-M3/TR3

Nur als Referenz

Teilenummer BYG10D-M3/TR3
PNEDA Teilenummer BYG10D-M3-TR3
Beschreibung DIODE AVALANCHE 200V 1.5A
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 8.190
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BYG10D-M3/TR3 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBYG10D-M3/TR3
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
BYG10D-M3/TR3, BYG10D-M3/TR3 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 86,34 KB)
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BYG10D-M3/TR3 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypAvalanche
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Current - Average Rectified (Io)1.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.15V @ 1.5A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)4µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr1µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AC, SMA
LieferantengerätepaketDO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

18A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 18A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2mA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

1400pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

SS3P3LHM3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

470mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

TO-277A (SMPC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

JANTX1N6639

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/609

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

75V

Current - Average Rectified (Io)

300mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 300mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

D, Axial

Lieferantengerätepaket

D-5D

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

HER152G B0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

35pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AC (DO-15)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

VS-20MQ060-M3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

780mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

31pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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