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BY329-1200,127

BY329-1200,127

Nur als Referenz

Teilenummer BY329-1200,127
PNEDA Teilenummer BY329-1200-127
Beschreibung DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.272
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BY329-1200 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBY329-1200,127
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
BY329-1200, BY329-1200 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 42,54 KB)
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BY329-1200 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.85V @ 20A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)135ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr1mA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-2
LieferantengerätepaketTO-220AC
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Hersteller

Semtech Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

12500V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

15V @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 12500V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

RHRP1560

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.1V @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220-2L

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

SR002 A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

110pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

1N5398G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1.5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AC (DO-15)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

CMOSH-3 BK

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 25V

Kapazität @ Vr, F.

7pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-79, SOD-523

Lieferantengerätepaket

SOD-523

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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39213150000

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