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BY329-1000,127

BY329-1000,127

Nur als Referenz

Teilenummer BY329-1000,127
PNEDA Teilenummer BY329-1000-127
Beschreibung DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.736
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BY329-1000 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBY329-1000,127
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
BY329-1000, BY329-1000 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 42,54 KB)
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BY329-1000 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1000V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.85V @ 20A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)135ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr1mA @ 800V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-2
LieferantengerätepaketTO-220AC
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

ITO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

IDL06G65C5XUMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

6A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 6A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

110µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

190pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-PowerTSFN

Lieferantengerätepaket

PG-VSON-4

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

VS-T85HF60

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

85A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20mA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-55 T-Module

Lieferantengerätepaket

D-55

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

SD103A-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

10ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

RB751SL

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

30mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

370mV @ 1mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

8ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-923

Lieferantengerätepaket

SOD-923F

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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