BUZ31H3046XKSA1
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Teilenummer | BUZ31H3046XKSA1 |
PNEDA Teilenummer | BUZ31H3046XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3 |
Hersteller | Infineon Technologies |
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BUZ31H3046XKSA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | BUZ31H3046XKSA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
BUZ31H3046XKSA1, BUZ31H3046XKSA1 Datenblatt
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BUZ31H3046XKSA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | SIPMOS® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 14.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 9A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1120pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 95W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PG-TO262-3-1 |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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