BUZ31 H3045A
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| Teilenummer | BUZ31 H3045A |
| PNEDA Teilenummer | BUZ31-H3045A |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 19.212 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BUZ31 H3045A Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BUZ31 H3045A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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BUZ31 H3045A Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | SIPMOS® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 14.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1120pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 95W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.6nC @ 4.5V Vgs (Max) -12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 228pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 810mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket X4-DSN1006-3 Paket / Fall 3-XFDFN |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 4.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2336pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 48W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket ITO-220AB Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1773pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 105W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall SC-100, SOT-669 |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 125µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2620pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 190W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2 Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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