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BUZ11_R4941

BUZ11_R4941

Nur als Referenz

Teilenummer BUZ11_R4941
PNEDA Teilenummer BUZ11_R4941
Beschreibung MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.066
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BUZ11_R4941 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUZ11_R4941
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
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BUZ11_R4941 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)50V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)75W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220-3
Paket / FallTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

108nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

FET-Funktion

Temperature Sensing Diode

Verlustleistung (max.)

272W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-426

Paket / Fall

TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

SCH1433-TL-W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

64mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

800mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-563/SCH6

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

AOT462_001

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

STN3NF06

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

315pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.3W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

IRFI620GPBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

30W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Kürzlich verkauft

64-2096PBF

64-2096PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7

MMBT2222ALT1G

MMBT2222ALT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 40V 0.6A SOT23

744842565

744842565

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COMMON MODE CHOKE 65UH 5A 2LN TH

FC-135 32.7680KA-A5

FC-135 32.7680KA-A5

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CRYSTAL 32.7680 KHZ 12.5PF SMD

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SMBJ12CA

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IRF630NPBF

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MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB

TCN4337M016R0070

TCN4337M016R0070

CAP TANT POLY 330UF 20% 16V 2924

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EDZVT2R16B

Rohm Semiconductor

DIODE ZENER 16V 150MW EMD2

A3972SB-T

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Allegro MicroSystems, LLC

IC MTR DRV BIPOLR 4.5-5.5V 24DIP

1SMB5925BT3G

1SMB5925BT3G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 10V 3W SMB

MPC8306SVMADDCA

MPC8306SVMADDCA

NXP

IC MPU MPC83XX 266MHZ 369BGA

ADG419BRZ

ADG419BRZ

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IC SWITCH SPDT 8SOIC