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BULT118M

BULT118M

Nur als Referenz

Teilenummer BULT118M
PNEDA Teilenummer BULT118M
Beschreibung TRANS NPN 400V 2A SOT-32
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 5.220
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 15 - Jan 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BULT118M Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBULT118M
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BULT118M, BULT118M Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 254,6 KB)
PDFBULT118M Datenblatt Cover
BULT118M Datenblatt Seite 2 BULT118M Datenblatt Seite 3 BULT118M Datenblatt Seite 4 BULT118M Datenblatt Seite 5 BULT118M Datenblatt Seite 6 BULT118M Datenblatt Seite 7 BULT118M Datenblatt Seite 8 BULT118M Datenblatt Seite 9 BULT118M Datenblatt Seite 10

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BULT118M Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)400V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 400mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce10 @ 500mA, 5V
Leistung - max45W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-225AA, TO-126-3
LieferantengerätepaketSOT-32-3

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 500mA, 1V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89-3

2SC2235-Y(T6OMI,FM

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 5V

Leistung - max

900mW

Frequenz - Übergang

120MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Lieferantengerätepaket

TO-92MOD

2SB1123S-TD-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 2V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

PCP

MPS6515_D75Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

250 @ 2mA, 10V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2SB1151-O-BP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 1V

Leistung - max

1.25W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-126

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