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BULT106D

BULT106D

Nur als Referenz

Teilenummer BULT106D
PNEDA Teilenummer BULT106D
Beschreibung TRANS NPN 230V 2A SOT-32
Hersteller STMicroelectronics
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BULT106D Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBULT106D
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BULT106D, BULT106D Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 101,91 KB)
PDFBULT106D Datenblatt Cover
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BULT106D Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)230V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.2V @ 400mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce10 @ 1A, 5V
Leistung - max32W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-225AA, TO-126-3
LieferantengerätepaketSOT-32-3

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 10V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

FZT493ATA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 250mA, 10V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

BUH150G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

700V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

5V @ 4A, 20A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

8 @ 10A, 5V

Leistung - max

150W

Frequenz - Übergang

23MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

NJVMJD44E3T4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 20mA, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 5V

Leistung - max

1.75W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

FZT792ATC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

70V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

160MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

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