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BUL741FP

BUL741FP

Nur als Referenz

Teilenummer BUL741FP
PNEDA Teilenummer BUL741FP
Beschreibung TRANS NPN 400V 2.5A TO-220FP
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 6.768
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BUL741FP Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUL741FP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BUL741FP, BUL741FP Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 330,37 KB)
PDFBUL741FP Datenblatt Cover
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BUL741FP Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)2.5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)400V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 600mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce25 @ 450mA, 3V
Leistung - max30W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220FP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

375mV @ 15mA, 750mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

450MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

6-MCPH

2STL1360

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 150mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 1A, 2V

Leistung - max

1.2W

Frequenz - Übergang

130MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Lieferantengerätepaket

TO-92L

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70

PHPT60606NYX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

360mV @ 300mA, 6A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

240 @ 500mA, 2V

Leistung - max

1.35W

Frequenz - Übergang

180MHz

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

JANTX2N3997

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/374

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 500mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 1A, 2V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

TO-111-4, Stud

Lieferantengerätepaket

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