Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BUK9Y7R6-40E,115

BUK9Y7R6-40E,115

Nur als Referenz

Teilenummer BUK9Y7R6-40E,115
PNEDA Teilenummer BUK9Y7R6-40E-115
Beschreibung MOSFET N-CH 40V LFPAK
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.020
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 24 - Mär 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BUK9Y7R6-40E Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK9Y7R6-40E,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
BUK9Y7R6-40E, BUK9Y7R6-40E Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 764,76 KB)
PDFBUK9Y7R6-40E Datenblatt Cover
BUK9Y7R6-40E Datenblatt Seite 2 BUK9Y7R6-40E Datenblatt Seite 3 BUK9Y7R6-40E Datenblatt Seite 4 BUK9Y7R6-40E Datenblatt Seite 5 BUK9Y7R6-40E Datenblatt Seite 6 BUK9Y7R6-40E Datenblatt Seite 7 BUK9Y7R6-40E Datenblatt Seite 8 BUK9Y7R6-40E Datenblatt Seite 9 BUK9Y7R6-40E Datenblatt Seite 10 BUK9Y7R6-40E Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BUK9Y7R6-40E,115 Datasheet
  • where to find BUK9Y7R6-40E,115
  • Nexperia

  • Nexperia BUK9Y7R6-40E,115
  • BUK9Y7R6-40E,115 PDF Datasheet
  • BUK9Y7R6-40E,115 Stock

  • BUK9Y7R6-40E,115 Pinout
  • Datasheet BUK9Y7R6-40E,115
  • BUK9Y7R6-40E,115 Supplier

  • Nexperia Distributor
  • BUK9Y7R6-40E,115 Price
  • BUK9Y7R6-40E,115 Distributor

BUK9Y7R6-40E Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.79A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.4nC @ 5V
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2403pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)95W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketLFPAK56, Power-SO8
Paket / FallSC-100, SOT-669

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SCT2280KEC

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

364mOhm @ 4A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1.4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 18V

Vgs (Max)

+22V, -6V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

667pF @ 800V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

108W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247

Paket / Fall

TO-247-3

PSMN2R0-30PL,127

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

117nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6810pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

211W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

SI5433BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

1206-8 ChipFET™

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

FDC637BNZ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

895pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

STP7NK40Z

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

535pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

70W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

EDBA232B2PB-1D-F-D

EDBA232B2PB-1D-F-D

Micron Technology Inc.

IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ

SK520BTR

SK520BTR

SMC Diode Solutions

DIODE SCHOTTKY 200V 5A SMB

ESDR0502NMUTBG

ESDR0502NMUTBG

ON Semiconductor

TVS DIODE 5.5V 6UDFN

FQA140N10

FQA140N10

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P

1.5KE200CA

1.5KE200CA

STMicroelectronics

TVS DIODE 171V 353V DO201

742792662

742792662

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 1 KOHM 0603 1LN

DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

FBMH1608HM600-T

FBMH1608HM600-T

Taiyo Yuden

FERRITE BEAD 60 OHM 0603 1LN

EA DOGS102B-6

EA DOGS102B-6

Display Visions

LCD MOD GRAPH 102X64 BLUE

BNX022-01L

BNX022-01L

Murata

FILTER LC 1UF SMD

BZX84C3V9

BZX84C3V9

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.9V 350MW SOT23-3

BC817-16

BC817-16

Diodes Incorporated

TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3