Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BUK9Y11-80EX

BUK9Y11-80EX

Nur als Referenz

Teilenummer BUK9Y11-80EX
PNEDA Teilenummer BUK9Y11-80EX
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.744
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BUK9Y11-80EX Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK9Y11-80EX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
BUK9Y11-80EX, BUK9Y11-80EX Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 740,5 KB)
PDFBUK9Y11-80EX Datenblatt Cover
BUK9Y11-80EX Datenblatt Seite 2 BUK9Y11-80EX Datenblatt Seite 3 BUK9Y11-80EX Datenblatt Seite 4 BUK9Y11-80EX Datenblatt Seite 5 BUK9Y11-80EX Datenblatt Seite 6 BUK9Y11-80EX Datenblatt Seite 7 BUK9Y11-80EX Datenblatt Seite 8 BUK9Y11-80EX Datenblatt Seite 9 BUK9Y11-80EX Datenblatt Seite 10 BUK9Y11-80EX Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BUK9Y11-80EX Datasheet
  • where to find BUK9Y11-80EX
  • Nexperia

  • Nexperia BUK9Y11-80EX
  • BUK9Y11-80EX PDF Datasheet
  • BUK9Y11-80EX Stock

  • BUK9Y11-80EX Pinout
  • Datasheet BUK9Y11-80EX
  • BUK9Y11-80EX Supplier

  • Nexperia Distributor
  • BUK9Y11-80EX Price
  • BUK9Y11-80EX Distributor

BUK9Y11-80EX Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.84A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44.2nC @ 5V
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6506pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)194W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketLFPAK56, Power-SO8
Paket / FallSC-100, SOT-669

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STD70N03L

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

70W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

ZVN0540ASTOB

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

Paket / Fall

E-Line-3

CSD17577Q5AT

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2310pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 53W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-VSONP (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

IPD90P03P4L04ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 253µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (Max)

+5V, -16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

137W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FCH47N60N

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SupreMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

47A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

62mOhm @ 23.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

151nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6700pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

368W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

Kürzlich verkauft

0217005.MXP

0217005.MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 5A 250VAC 5X20MM

ASDXRRX001PGAA5

ASDXRRX001PGAA5

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SENSOR PRESS GAUGE ANALOG 0-1PSI

RCLAMP3654P.TCT

RCLAMP3654P.TCT

Semtech

TVS DIODE 5.5V 30V SLP1616P6

CDBHD1100L-G

CDBHD1100L-G

Comchip Technology

BRIDGE RECT 1P 100V 1A MINI-DIP

LM2596DSADJR4G

LM2596DSADJR4G

ON Semiconductor

IC REG MULT CONFG ADJ 3A D2PAK-5

ATXMEGA32A4U-AU

ATXMEGA32A4U-AU

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 32KB FLASH 44TQFP

LTM4613IV#PBF

LTM4613IV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 12V 8A

MP4560DN-LF-Z

MP4560DN-LF-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 8SOIC

A6B595KLWTR-T

A6B595KLWTR-T

Allegro MicroSystems, LLC

IC PWR DRVR 8BIT ADDRESS 20SOIC

FDC6325L

FDC6325L

ON Semiconductor

IC LOAD SWITCH INT 8VIN SSOT-6

EVN-D8AA03B54

EVN-D8AA03B54

Panasonic Electronic Components

TRIMMER 50K OHM 0.1W PC PIN TOP

IS42S16160G-7BLI-TR

IS42S16160G-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA