Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BUK9M12-60EX

BUK9M12-60EX

Nur als Referenz

Teilenummer BUK9M12-60EX
PNEDA Teilenummer BUK9M12-60EX
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.888
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 17 - Jan 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BUK9M12-60EX Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK9M12-60EX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
BUK9M12-60EX, BUK9M12-60EX Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 720,45 KB)
PDFBUK9M12-60EX Datenblatt Cover
BUK9M12-60EX Datenblatt Seite 2 BUK9M12-60EX Datenblatt Seite 3 BUK9M12-60EX Datenblatt Seite 4 BUK9M12-60EX Datenblatt Seite 5 BUK9M12-60EX Datenblatt Seite 6 BUK9M12-60EX Datenblatt Seite 7 BUK9M12-60EX Datenblatt Seite 8 BUK9M12-60EX Datenblatt Seite 9 BUK9M12-60EX Datenblatt Seite 10 BUK9M12-60EX Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BUK9M12-60EX Datasheet
  • where to find BUK9M12-60EX
  • Nexperia

  • Nexperia BUK9M12-60EX
  • BUK9M12-60EX PDF Datasheet
  • BUK9M12-60EX Stock

  • BUK9M12-60EX Pinout
  • Datasheet BUK9M12-60EX
  • BUK9M12-60EX Supplier

  • Nexperia Distributor
  • BUK9M12-60EX Price
  • BUK9M12-60EX Distributor

BUK9M12-60EX Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.54A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2769pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)79W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketLFPAK33
Paket / FallSOT-1210, 8-LFPAK33

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDS7088N7

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3845pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI7478DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.9W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

MTMF82310BBF

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6000pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SO8-F1-B

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

IRF9332TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.5mOhm @ 9.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1270pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRL630SPBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 5.4A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 74W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

IRFR7440PBF

IRFR7440PBF

Infineon Technologies

MOSFET N CH 40V 90A DPAK

4610X-101-103LF

4610X-101-103LF

Bourns

RES ARRAY 9 RES 10K OHM 10SIP

744770122

744770122

Wurth Electronics

FIXED IND 22UH 4.1A 43 MOHM SMD

24LC64-I/SN

24LC64-I/SN

Microchip Technology

IC EEPROM 64K I2C 400KHZ 8SOIC

25AA512T-I/SM

25AA512T-I/SM

Microchip Technology

IC EEPROM 512K SPI 20MHZ 8SOIJ

IR2110PBF

IR2110PBF

Infineon Technologies

IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14DIP

LIS3MDLTR

LIS3MDLTR

STMicroelectronics

SENSOR MR I2C/SPI 12LGA

MAX17222ELT+T

MAX17222ELT+T

Maxim Integrated

IC REG BOOST ADJ 500MA 6UDFN

LTC1564IG#TRPBF

LTC1564IG#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC FILTR 150KHZ ANTIALIAS 16SSOP

AD629ARZ

AD629ARZ

Analog Devices

IC OPAMP DIFF 1 CIRCUIT 8SOIC

TMP36GT9Z

TMP36GT9Z

Analog Devices

SENSOR ANALOG -40C-125C TO92-3

GTL2002DC,125

GTL2002DC,125

NXP

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8VSSOP