BUK9K29-100E,115
Nur als Referenz
| Teilenummer | BUK9K29-100E,115 |
| PNEDA Teilenummer | BUK9K29-100E-115 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.076 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 20 - Jan 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BUK9K29-100E Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BUK9K29-100E,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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BUK9K29-100E Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3491pF @ 25V |
| Leistung - max | 68W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK56D |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 21.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 37.6mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1533pF @ 25V Leistung - max 53W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-1205, 8-LFPAK56 Lieferantengerätepaket LFPAK56D |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 16V Leistung - max 750mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 405pF @ 10V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ 4 P-Channel, Matched Pair FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 180mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 16-PDIP |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 15V Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket PG-DSO-8 |
