Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BUK9D23-40EX

BUK9D23-40EX

Nur als Referenz

Teilenummer BUK9D23-40EX
PNEDA Teilenummer BUK9D23-40EX
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN2020MD
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 27.516
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 21 - Apr 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BUK9D23-40EX Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK9D23-40EX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BUK9D23-40EX Datasheet
  • where to find BUK9D23-40EX
  • Nexperia

  • Nexperia BUK9D23-40EX
  • BUK9D23-40EX PDF Datasheet
  • BUK9D23-40EX Stock

  • BUK9D23-40EX Pinout
  • Datasheet BUK9D23-40EX
  • BUK9D23-40EX Supplier

  • Nexperia Distributor
  • BUK9D23-40EX Price
  • BUK9D23-40EX Distributor

BUK9D23-40EX Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Vgs (Max)±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds637pF @ 20V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)15W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDFN2020MD-6
Paket / Fall6-UDFN Exposed Pad

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DMT2004UPS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

24V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.45V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53.7nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1683pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

Paket / Fall

8-PowerTDFN

SCT3080ALGC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

104mOhm @ 10A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.6V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 18V

Vgs (Max)

+22V, -4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

571pF @ 500V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

134W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247N

Paket / Fall

TO-247-3

IRLR3802PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

84A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2490pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

88W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SIR436DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1715pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

SIHH11N65E-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

363mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1257pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

130W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 8 x 8

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Kürzlich verkauft

FXMA2102UMX

FXMA2102UMX

ON Semiconductor

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8MLP

SDP800-500PA

SDP800-500PA

Sensirion AG

SENSOR PRESSURE DIFF

HSMF-C165

HSMF-C165

Broadcom

LED GREEN/RED DIFFUSED 0603 SMD

DG4157DL-T1-E3

DG4157DL-T1-E3

Vishay Siliconix

IC SWITCH SGL SPDT LV SC70-6

LQH2MCN100K02L

LQH2MCN100K02L

Murata

FIXED IND 10UH 225MA 1.2 OHM SMD

MAX15301AA02+CJK

MAX15301AA02+CJK

Maxim Integrated

IC REG CTRLR BUCK PMBUS 32TQFN

1SS355VMTE-17

1SS355VMTE-17

Rohm Semiconductor

DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

LT3012EFE#PBF

LT3012EFE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 250MA 16TSSOP

AD7606BSTZ

AD7606BSTZ

Analog Devices

IC DAS/ADC 16BIT 200K 64LQFP

IRF630NPBF

IRF630NPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB

0217.500MXP

0217.500MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 500MA 250VAC 5X20MM

74ACT08SC

74ACT08SC

ON Semiconductor

IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOIC