BUK964R8-60E,118
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| Teilenummer | BUK964R8-60E,118 |
| PNEDA Teilenummer | BUK964R8-60E-118 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 54.312 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BUK964R8-60E Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BUK964R8-60E,118 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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BUK964R8-60E Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9710pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 234W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller ON Semiconductor Serie QFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 45W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 220A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.1V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 350nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 21000pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 789W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227 Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1633pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 950mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 Paket / Fall 8-PowerVDFN |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.6nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1180pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 66W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Ta), 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 20W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-251A Paket / Fall TO-251-3 Stub Leads, IPak |
