Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BUK962R6-40E,118

BUK962R6-40E,118

Nur als Referenz

Teilenummer BUK962R6-40E,118
PNEDA Teilenummer BUK962R6-40E-118
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.680
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BUK962R6-40E Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK962R6-40E,118
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
BUK962R6-40E, BUK962R6-40E Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 716,04 KB)
PDFBUK962R6-40E Datenblatt Cover
BUK962R6-40E Datenblatt Seite 2 BUK962R6-40E Datenblatt Seite 3 BUK962R6-40E Datenblatt Seite 4 BUK962R6-40E Datenblatt Seite 5 BUK962R6-40E Datenblatt Seite 6 BUK962R6-40E Datenblatt Seite 7 BUK962R6-40E Datenblatt Seite 8 BUK962R6-40E Datenblatt Seite 9 BUK962R6-40E Datenblatt Seite 10 BUK962R6-40E Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BUK962R6-40E,118 Datasheet
  • where to find BUK962R6-40E,118
  • Nexperia

  • Nexperia BUK962R6-40E,118
  • BUK962R6-40E,118 PDF Datasheet
  • BUK962R6-40E,118 Stock

  • BUK962R6-40E,118 Pinout
  • Datasheet BUK962R6-40E,118
  • BUK962R6-40E,118 Supplier

  • Nexperia Distributor
  • BUK962R6-40E,118 Price
  • BUK962R6-40E,118 Distributor

BUK962R6-40E Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80.6nC @ 32V
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds10285pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)263W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DMN3024SFG-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

479pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

900mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8

Paket / Fall

8-PowerVDFN

IPZ60R070P6FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P6

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

53.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 20.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.72mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4750pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

391W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-4

Paket / Fall

TO-247-4

NDT02N60ZT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 700mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

170pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223 (TO-261)

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

IRFI9620GPBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

30W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

IXTK88N30P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

88A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

600W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXTK)

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Kürzlich verkauft

LTST-S326KGJRKT

LTST-S326KGJRKT

Lite-On Inc.

LED GREEN/RED CLEAR CHIP SMD R/A

MX25U3235FM2I-10G

MX25U3235FM2I-10G

Macronix

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOP

7447709220

7447709220

Wurth Electronics

FIXED IND 22UH 5.3A 28 MOHM SMD

C1210C106M6PACTU

C1210C106M6PACTU

KEMET

CAP CER 10UF 35V X5R 1210

CP2105-F01-GM

CP2105-F01-GM

Silicon Labs

IC SGL USB-DL UART BRIDGE 24QFN

IRFR5410TRRPBF

IRFR5410TRRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 100V 13A DPAK

KT2520Y40000ECV28TBA

KT2520Y40000ECV28TBA

Kyocera

XTAL OSC TCXO 40.0000MHZ SNWV

744774047

744774047

Wurth Electronics

FIXED IND 4.7UH 3A 71 MOHM SMD

TMP36GSZ-REEL7

TMP36GSZ-REEL7

Analog Devices

SENSOR ANALOG -40C-125C 8SOIC

SMCJ24A-13-F

SMCJ24A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 24V 38.9V SMC

EP1C20F324C7

EP1C20F324C7

Intel

IC FPGA 233 I/O 324FBGA

ECS-327SMO-TR

ECS-327SMO-TR

ECS

XTAL OSC XO 32.7680KHZ CMOS SMD