Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BUK7S0R9-40HJ

BUK7S0R9-40HJ

Nur als Referenz

Teilenummer BUK7S0R9-40HJ
PNEDA Teilenummer BUK7S0R9-40HJ
Beschreibung BUK7S0R9-40H/SOT1235/LFPAK88
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.030
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 18 - Jan 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BUK7S0R9-40HJ Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK7S0R9-40HJ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
BUK7S0R9-40HJ, BUK7S0R9-40HJ Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 313,62 KB)
PDFBUK7S0R9-40HJ Datenblatt Cover
BUK7S0R9-40HJ Datenblatt Seite 2 BUK7S0R9-40HJ Datenblatt Seite 3 BUK7S0R9-40HJ Datenblatt Seite 4 BUK7S0R9-40HJ Datenblatt Seite 5 BUK7S0R9-40HJ Datenblatt Seite 6 BUK7S0R9-40HJ Datenblatt Seite 7 BUK7S0R9-40HJ Datenblatt Seite 8 BUK7S0R9-40HJ Datenblatt Seite 9 BUK7S0R9-40HJ Datenblatt Seite 10 BUK7S0R9-40HJ Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BUK7S0R9-40HJ Datasheet
  • where to find BUK7S0R9-40HJ
  • Nexperia

  • Nexperia BUK7S0R9-40HJ
  • BUK7S0R9-40HJ PDF Datasheet
  • BUK7S0R9-40HJ Stock

  • BUK7S0R9-40HJ Pinout
  • Datasheet BUK7S0R9-40HJ
  • BUK7S0R9-40HJ Supplier

  • Nexperia Distributor
  • BUK7S0R9-40HJ Price
  • BUK7S0R9-40HJ Distributor

BUK7S0R9-40HJ Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.375A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs166nC @ 32V
Vgs (Max)+20V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds12888pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)375W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketLFPAK88 (SOT1235)
Paket / FallSOT-1235

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRF7799L2TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

375A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

165nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6714pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4.3W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET L8

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric L8

IXFH26N50

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

26A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

FDPF5N50T

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

28W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

FCPF850N80Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 600µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1315pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

28.4W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Hersteller

IXYS

Serie

TrenchMV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

85V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

152nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

480W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXTA)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

744774047

744774047

Wurth Electronics

FIXED IND 4.7UH 3A 71 MOHM SMD

MAX992EUA+

MAX992EUA+

Maxim Integrated

IC COMPARATOR R-R 8-UMAX

RB751V40T1G

RB751V40T1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323

N25Q064A13ESE40E

N25Q064A13ESE40E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SO

IRFR5305TRPBF

IRFR5305TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

AON6266

AON6266

Alpha & Omega Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 13A 8DFN

LC4064V-75TN100C

LC4064V-75TN100C

Lattice Semiconductor Corporation

IC CPLD 64MC 7.5NS 100TQFP

0501010.WR

0501010.WR

Littelfuse

FUSE BOARD MOUNT 10A 32VDC 1206

SI4214DDY-T1-GE3

SI4214DDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

DPBT8105-7

DPBT8105-7

Diodes Incorporated

TRANS PNP 60V 1A SOT23-3

NFM21CC102R1H3D

NFM21CC102R1H3D

Murata

CAP FEEDTHRU 1000PF 20% 50V 0805

AD7626BCPZ

AD7626BCPZ

Analog Devices

IC ADC 16BIT SAR 32LFCSP-WQ