BUK7S0R7-40HJ
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| Teilenummer | BUK7S0R7-40HJ |
| PNEDA Teilenummer | BUK7S0R7-40HJ |
| Beschreibung | BUK7S0R7-40H/SOT1235/LFPAK88 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.938 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BUK7S0R7-40HJ Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BUK7S0R7-40HJ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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BUK7S0R7-40HJ Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 425A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.7mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 202nC @ 10V |
| Vgs (Max) | +20V, -10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 15719pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 375W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK88 (SOT1235) |
| Paket / Fall | SOT-1235 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Ta), 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5860pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta), 54W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Power33 Paket / Fall 8-PowerWDFN |
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Hersteller ON Semiconductor Serie SuperFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 47A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 73mOhm @ 23.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 417W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3PN Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
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