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BUK7K23-80EX

BUK7K23-80EX

Nur als Referenz

Teilenummer BUK7K23-80EX
PNEDA Teilenummer BUK7K23-80EX
Beschreibung MOSFET 2 N-CH 80V 17A LFPAK56D
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 4.428
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BUK7K23-80EX Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK7K23-80EX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
BUK7K23-80EX, BUK7K23-80EX Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 255,59 KB)
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BUK7K23-80EX Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1542pF @ 25V
Leistung - max53W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-1205, 8-LFPAK56
LieferantengerätepaketLFPAK56D

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FET-Typ

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20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

610pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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8-SO

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1770pF @ 13V

Leistung - max

2.2W, 2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 15V

Leistung - max

1.15W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

4 P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1A, 12V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Lieferantengerätepaket

14-DIP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5 nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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