BUK7E4R0-80E,127
Nur als Referenz
Teilenummer | BUK7E4R0-80E,127 |
PNEDA Teilenummer | BUK7E4R0-80E-127 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK |
Hersteller | NXP |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.184 |
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BUK7E4R0-80E Ressourcen
Marke | NXP |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | BUK7E4R0-80E,127 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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BUK7E4R0-80E Technische Daten
Hersteller | NXP USA Inc. |
Serie | TrenchMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 120A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 169nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12030pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 349W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | I2PAK |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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