BUK661R8-30C,118
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| Teilenummer | BUK661R8-30C,118 |
| PNEDA Teilenummer | BUK661R8-30C-118 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.686 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 7 - Feb 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BUK661R8-30C Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BUK661R8-30C,118 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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BUK661R8-30C Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 120A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 168nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10918pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 263W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 7.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Sanken Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 110A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94.2nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6200pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 135W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263-3 Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 150W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
