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BUK6211-75C,118

BUK6211-75C,118

Nur als Referenz

Teilenummer BUK6211-75C,118
PNEDA Teilenummer BUK6211-75C-118
Beschreibung MOSFET N-CH 75V 74A DPAK
Hersteller Nexperia
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BUK6211-75C Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK6211-75C,118
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
BUK6211-75C, BUK6211-75C Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 777,42 KB)
PDFBUK6211-75C Datenblatt Cover
BUK6211-75C Datenblatt Seite 2 BUK6211-75C Datenblatt Seite 3 BUK6211-75C Datenblatt Seite 4 BUK6211-75C Datenblatt Seite 5 BUK6211-75C Datenblatt Seite 6 BUK6211-75C Datenblatt Seite 7 BUK6211-75C Datenblatt Seite 8 BUK6211-75C Datenblatt Seite 9 BUK6211-75C Datenblatt Seite 10 BUK6211-75C Datenblatt Seite 11

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BUK6211-75C Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.74A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs81nC @ 10V
Vgs (Max)±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5251pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)158W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2010pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

62.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

NCV8440STT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

59V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 35V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.69W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

PH7630DLX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

IXTQ18N60P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

360W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

FDFMA2N028Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

455pF @ 10V

FET-Funktion

Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.)

1.4W (Tj)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-MicroFET (2x2)

Paket / Fall

6-VDFN Exposed Pad

Kürzlich verkauft

FT4232HL-REEL

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TVS DIODE 5.5V 30V SLP1616P6

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TRANS 2NPN/2PNP 250V 0.5A

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SSR RELAY SPST-NO 2A 0-60V

M48T59Y-70PC1

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IC RTC CLK/CALENDAR PAR 28DIP

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BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS

XC7VX330T-2FFG1761I

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IC FPGA 700 I/O 1761FCBGA

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Vishay Dale

RES 0.025 OHM 1% 1W 2512