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BUJ302AX,127

BUJ302AX,127

Nur als Referenz

Teilenummer BUJ302AX,127
PNEDA Teilenummer BUJ302AX-127
Beschreibung TRANS NPN 400V 4A TO-220F
Hersteller WeEn Semiconductors
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Auf Lager 7.812
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BUJ302AX Ressourcen

Marke WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUJ302AX,127
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BUJ302AX, BUJ302AX Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 788,47 KB)
PDFBUJ302AX Datenblatt Cover
BUJ302AX Datenblatt Seite 2 BUJ302AX Datenblatt Seite 3 BUJ302AX Datenblatt Seite 4 BUJ302AX Datenblatt Seite 5 BUJ302AX Datenblatt Seite 6 BUJ302AX Datenblatt Seite 7 BUJ302AX Datenblatt Seite 8 BUJ302AX Datenblatt Seite 9 BUJ302AX Datenblatt Seite 10 BUJ302AX Datenblatt Seite 11

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BUJ302AX Technische Daten

HerstellerWeEn Semiconductors
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)400V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 1A, 3.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce25 @ 800mA, 3V
Leistung - max26W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
LieferantengerätepaketTO-220F

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Hersteller

Bourns Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

160V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 200mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

300µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 4V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

2SC4081U3T106Q

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

180MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

UMT3

BD534J

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

800mV @ 600mA, 6A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 2A, 2V

Leistung - max

50W

Frequenz - Übergang

12MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

2SA1807TLP

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 60mA, 300mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

82 @ 100mA, 5V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

15MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

CPT3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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