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BU9883FV-WE2

BU9883FV-WE2

Nur als Referenz

Teilenummer BU9883FV-WE2
PNEDA Teilenummer BU9883FV-WE2
Beschreibung IC EEPROM 6K I2C 400KHZ 16SSOPB
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 5.328
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 23 - Mär 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BU9883FV-WE2 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBU9883FV-WE2
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
BU9883FV-WE2, BU9883FV-WE2 Datenblatt (Total Pages: 29, Größe: 2.299,97 KB)
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BU9883FV-WE2 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße6Kb (256 x 8 x 3)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz400kHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung3V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SSOP-B

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Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

32Gb (1G x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1600MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II+

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

500MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (4M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

800µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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IDT71V35761S183BQ8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

183MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.3ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

Lieferantengerätepaket

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BQ4016MC-70

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Hersteller

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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