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BU2010-M3/45

BU2010-M3/45

Nur als Referenz

Teilenummer BU2010-M3/45
PNEDA Teilenummer BU2010-M3-45
Beschreibung BRIDGE RECT 1P 1KV 20A BU
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 17.676
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BU2010-M3/45 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBU2010-M3/45
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
BU2010-M3/45, BU2010-M3/45 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 116,06 KB)
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BU2010-M3/45 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)1kV
Current - Average Rectified (Io)20A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.05V @ 10A
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 1000V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-SIP, BU
LieferantengerätepaketisoCINK+™ BU

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

3.8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 6A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodentyp

Three Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1.4kV

Current - Average Rectified (Io)

25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.19V @ 10A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1400V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

V1-A

Lieferantengerätepaket

V1-A

681-6D, 6N, 6P

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Technologie

-

Spannung - Peak Reverse (Max)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CD-HD201L

Bourns

Hersteller

Bourns Inc.

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Schottky

Spannung - Peak Reverse (Max)

100V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 1A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 100V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Chip, Concave Terminals

Lieferantengerätepaket

-

DB155G

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-EDIP (0.321", 8.15mm)

Lieferantengerätepaket

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