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BTS7904SAKSA1

BTS7904SAKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BTS7904SAKSA1
PNEDA Teilenummer BTS7904SAKSA1
Beschreibung MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO220
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.776
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BTS7904SAKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBTS7904SAKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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BTS7904SAKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)55V, 30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs123nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6100pF @ 25V
Leistung - max69W, 96W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-220-5
LieferantengerätepaketPG-TO220-5-13

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

TT8K11TCR

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

71mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1A

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 10V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-TSST

AOD607A

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc), 12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 8A, 10V, 27mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V, 12nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

395pF @ 15V, 730pF @ 15V

Leistung - max

19W (Tc), 30W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

Lieferantengerätepaket

TO-252-4L

NTQD4154ZR2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1485pF @ 16V

Leistung - max

1.52W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

86mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 1mA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

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