BSZ180P03NS3GATMA1
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Teilenummer | BSZ180P03NS3GATMA1 |
PNEDA Teilenummer | BSZ180P03NS3GATMA1 |
Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.788 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSZ180P03NS3GATMA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | BSZ180P03NS3GATMA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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BSZ180P03NS3GATMA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9A (Ta), 39.6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 48µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2220pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 40W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TSDSON-8 |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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