BSZ0503NSIATMA1
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Teilenummer | BSZ0503NSIATMA1 |
PNEDA Teilenummer | BSZ0503NSIATMA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 20A 8SON |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.118 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSZ0503NSIATMA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | BSZ0503NSIATMA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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BSZ0503NSIATMA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A (Ta), 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 36W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TSDSON-8-FL |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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