BSV52_D87Z
Nur als Referenz
| Teilenummer | BSV52_D87Z |
| PNEDA Teilenummer | BSV52_D87Z |
| Beschreibung | TRANS NPN 12V 0.2A SOT-23 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.570 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BSV52_D87Z Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSV52_D87Z |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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BSV52_D87Z Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 1V |
| Leistung - max | 225mW |
| Frequenz - Übergang | 400MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 5V Leistung - max 2W Frequenz - Übergang 20MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F-A1 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 110 @ 2mA, 5V Leistung - max 310mW Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/399 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 3mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 1V Leistung - max 400mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket UB |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 4V @ 5A, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 15A, 4V Leistung - max 125W Frequenz - Übergang 3MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
