BST60,115
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Teilenummer | BST60,115 |
PNEDA Teilenummer | BST60-115 |
Beschreibung | TRANS PNP DARL 45V 1A SOT89 |
Hersteller | Nexperia |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 12.456 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 20 - Nov 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BST60 Ressourcen
Marke | Nexperia |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | BST60,115 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
Datenblatt |
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BST60 Technische Daten
Hersteller | Nexperia USA Inc. |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Transistortyp | PNP - Darlington |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 45V |
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.3V @ 500µA, 500mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 2000 @ 500mA, 10V |
Leistung - max | 1.3W |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-243AA |
Lieferantengerätepaket | SOT-89 |
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Nexperia Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 80MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SC-70 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 250mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 250mA, 1V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-226-3 |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/348 Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 500mA, 1V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-5 |
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.4V @ 2.8A, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 150 @ 50A, 5V Leistung - max 175W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall ISOTOP Lieferantengerätepaket ISOTOP® |