BSS83PL6327HTSA1
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| Teilenummer | BSS83PL6327HTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSS83PL6327HTSA1 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.322 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BSS83PL6327HTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSS83PL6327HTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
BSS83PL6327HTSA1, BSS83PL6327HTSA1 Datenblatt
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BSS83PL6327HTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | SIPMOS® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 330mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 330mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.57nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 78pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 360mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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