BSS169H6327XTSA1
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Teilenummer | BSS169H6327XTSA1 |
PNEDA Teilenummer | BSS169H6327XTSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 139.098 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSS169H6327XTSA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | BSS169H6327XTSA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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BSS169H6327XTSA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | SIPMOS® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 170mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 7V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 68pF @ 25V |
FET-Funktion | Depletion Mode |
Verlustleistung (max.) | 360mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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