BSP372L6327HTSA1
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Teilenummer | BSP372L6327HTSA1 |
PNEDA Teilenummer | BSP372L6327HTSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.964 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSP372L6327HTSA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | BSP372L6327HTSA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
BSP372L6327HTSA1, BSP372L6327HTSA1 Datenblatt
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BSP372L6327HTSA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | SIPMOS® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.7A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310mOhm @ 1.7A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±14V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-SOT223-4 |
Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
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