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BSP225,115

BSP225,115

Nur als Referenz

Teilenummer BSP225,115
PNEDA Teilenummer BSP225-115
Beschreibung MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 34.272
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BSP225 Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSP225,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
BSP225, BSP225 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 179,98 KB)
PDFBSP225 Datenblatt Cover
BSP225 Datenblatt Seite 2 BSP225 Datenblatt Seite 3 BSP225 Datenblatt Seite 4 BSP225 Datenblatt Seite 5 BSP225 Datenblatt Seite 6 BSP225 Datenblatt Seite 7 BSP225 Datenblatt Seite 8 BSP225 Datenblatt Seite 9 BSP225 Datenblatt Seite 10 BSP225 Datenblatt Seite 11

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BSP225 Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.225mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds90pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.5W (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSC-73
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.35Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 30W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDB6670AL

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2440pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

68W (Tc)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SISS60DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50.1A (Ta), 181.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.31mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85.5nC @ 10V

Vgs (Max)

+16V, -12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3960pF @ 15V

FET-Funktion

Schottky Diode (Body)

Verlustleistung (max.)

5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8S

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8S

SIHB22N60AE-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

E

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1451pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

179W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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Serie

-

FET-Typ

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Technologie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

52V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 35V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.69W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

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