BSP171PE6327T
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Teilenummer | BSP171PE6327T |
PNEDA Teilenummer | BSP171PE6327T |
Beschreibung | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.916 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSP171PE6327T Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | BSP171PE6327T |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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BSP171PE6327T Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | SIPMOS® |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.9A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 460µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-SOT223-4 |
Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
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