BSO215C
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| Teilenummer | BSO215C |
| PNEDA Teilenummer | BSO215C |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.490 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSO215C Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSO215C |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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BSO215C Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | SIPMOS® |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 246pF @ 25V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller IXYS Serie - FET-Typ 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 210A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 430nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall V2-PAK Lieferantengerätepaket V2-PAK |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
