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BSM200GB120DN2HOSA1

BSM200GB120DN2HOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BSM200GB120DN2HOSA1
PNEDA Teilenummer BSM200GB120DN2HOSA1
Beschreibung IGBT 2 MED POWER 62MM-1
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis
1 ---------- $3.323,0354
50 ---------- $3.167,2681
100 ---------- $3.011,5008
200 ---------- $2.855,7335
400 ---------- $2.725,9275
500 ---------- $2.596,1214
Auf Lager 5.509
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BSM200GB120DN2HOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSM200GB120DN2HOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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BSM200GB120DN2HOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)290A
Leistung - max1400W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)4mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce13nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Leistung - max

380W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 80A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.44nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ECO-PAC1

Lieferantengerätepaket

ECO-PAC1

FF600R17ME4PB11BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Leistung - max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 21A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

APTGL90DA120T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Leistung - max

385W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

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