BSM180C12P2E202
Nur als Referenz
Teilenummer | BSM180C12P2E202 |
PNEDA Teilenummer | BSM180C12P2E202 |
Beschreibung | BSM180C12P2E202 IS A SIC (SILICO |
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.978 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSM180C12P2E202 Ressourcen
Marke | Rohm Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | BSM180C12P2E202 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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BSM180C12P2E202 Technische Daten
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 204A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | +22V, -6V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1360W (Tc) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Montagetyp | Chassis Mount |
Lieferantengerätepaket | Module |
Paket / Fall | Module |
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